Эффективный заряд атома в кристалле - разность между числом электронов, реально принадлежащих окрестности атома, и числом электронов в нейтральном атоме.
Если известно распределение валентной электронной плотности в кристалле, то имеет смысл поставить вопрос какое число электронов относится к каждому атому. Такой вопрос впервые был поставлен еще в 1926 г., В. Л. Брэггом при расшифровке структуры берилла Ве3Аl2Si6О18. На построенных ими картах полной электронной плотности можно было выделить области, примыкающие к атомам Аl и Si, а затем оценить числа электронов, принадлежащих каждой из этих областей. Так, в области Si находилось не 10, как для иона Si4+, и не 14, как для нейтрального атома Si0, а около 12,5 электронов. Таким образом, эффективный заряд Si в берилле оказался близким к +1,5, Аl - к +1,6, О - к -1,0.
Статья
Обсуждение