Полупроводник - История изменений

https://wiki.web.ru/index.php?action=history&feed=atom&title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA Полупроводник - История изменений 2026-05-07T00:11:18Z История изменений этой страницы в вики MediaWiki 1.15.1 https://wiki.web.ru/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA&diff=20677&oldid=prev Eremin в 05:25, 10 апреля 2008 2008-04-10T05:25:23Z

<p></p> <table style="background-color: white; color:black;"> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <tr valign='top'> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">← Предыдущая</td> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">Версия 05:25, 10 апреля 2008</td> </tr> <tr><td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 1:</td> <td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 1:</td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Вещества, у которых существует вероятность перехода электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости при температурах близких к комнатным.  </div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Вещества, у которых существует вероятность перехода электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости при температурах близких к комнатным.  </div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'>-</td><td style="background: #ffa; color:black; font-size: smaller;"><div>Согласно [[Зонная энергетическая струкутра кристалла|зонной энергетической струкутры кристалла]] валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF<sub>2</sub> ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div>Согласно [[Зонная энергетическая струкутра кристалла|зонной энергетической струкутры кристалла]] валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и <ins class="diffchange diffchange-inline">[[Диэлектрик|</ins>диэлектриков<ins class="diffchange diffchange-inline">]] </ins>. Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF<sub>2</sub> ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br></div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br></div></td></tr>  </table>

Eremin https://wiki.web.ru/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA&diff=20676&oldid=prev Eremin в 05:22, 10 апреля 2008 2008-04-10T05:22:42Z

<p></p> <table style="background-color: white; color:black;"> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <tr valign='top'> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">← Предыдущая</td> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">Версия 05:22, 10 апреля 2008</td> </tr> <tr><td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 1:</td> <td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 1:</td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Вещества, у которых существует вероятность перехода электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости при температурах близких к комнатным.  </div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Вещества, у которых существует вероятность перехода электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости при температурах близких к комнатным.  </div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'>-</td><td style="background: #ffa; color:black; font-size: smaller;"><div>Согласно [[Зонная энергетическая струкутра кристалла|зонной энергетической струкутры кристалла]] валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и <del class="diffchange diffchange-inline">CaF2 </del>( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div>Согласно [[Зонная энергетическая струкутра кристалла|зонной энергетической струкутры кристалла]] валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и <ins class="diffchange diffchange-inline">CaF<sub>2</sub> </ins>( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br></div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br></div></td></tr>  </table>

Eremin https://wiki.web.ru/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA&diff=20675&oldid=prev Eremin в 05:22, 10 апреля 2008 2008-04-10T05:22:15Z

<p></p> <table style="background-color: white; color:black;"> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <tr valign='top'> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">← Предыдущая</td> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">Версия 05:22, 10 апреля 2008</td> </tr> <tr><td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 1:</td> <td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 1:</td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Вещества, у которых существует вероятность перехода электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости при температурах близких к комнатным.  </div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Вещества, у которых существует вероятность перехода электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости при температурах близких к комнатным.  </div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'>-</td><td style="background: #ffa; color:black; font-size: smaller;"><div><del class="diffchange diffchange-inline">Валентная </del>зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div><ins class="diffchange diffchange-inline">Согласно [[Зонная энергетическая струкутра кристалла|зонной энергетической струкутры кристалла]] валентная </ins>зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br></div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br></div></td></tr>  </table>

Eremin https://wiki.web.ru/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA&diff=20674&oldid=prev Eremin в 05:18, 10 апреля 2008 2008-04-10T05:18:58Z

<p></p> <table style="background-color: white; color:black;"> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <tr valign='top'> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">← Предыдущая</td> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">Версия 05:18, 10 апреля 2008</td> </tr> <tr><td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 3:</td> <td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 3:</td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br></div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br></div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'>-</td><td style="background: #ffa; color:black; font-size: smaller;"><div>Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br> 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , <del class="diffchange diffchange-inline">E </del>– ширина запрещенной зоны (2).</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div>Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br> 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , <ins class="diffchange diffchange-inline">ΔE </ins>– ширина запрещенной зоны (2).</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>'''Литература:'''<br></div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>'''Литература:'''<br></div></td></tr>  </table>

Eremin https://wiki.web.ru/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA&diff=20673&oldid=prev Eremin в 05:18, 10 апреля 2008 2008-04-10T05:18:42Z

<p></p> <table style="background-color: white; color:black;"> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <tr valign='top'> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">← Предыдущая</td> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">Версия 05:18, 10 апреля 2008</td> </tr> <tr><td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 3:</td> <td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 3:</td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br></div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br></div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'>-</td><td style="background: #ffa; color:black; font-size: smaller;"><div>Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br></div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div>Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br> 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , E – ширина запрещенной зоны (2).</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'>-</td><td style="background: #ffa; color:black; font-size: smaller;"><div><del class="diffchange diffchange-inline"> </del>1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , E – ширина запрещенной зоны (2).</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div></div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>'''Литература:'''<br></div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>'''Литература:'''<br></div></td></tr>  </table>

Eremin https://wiki.web.ru/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA&diff=20672&oldid=prev Eremin в 05:18, 10 апреля 2008 2008-04-10T05:18:31Z

<p></p> <table style="background-color: white; color:black;"> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <tr valign='top'> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">← Предыдущая</td> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">Версия 05:18, 10 апреля 2008</td> </tr> <tr><td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 3:</td> <td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 3:</td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br></div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br></div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'>-</td><td style="background: #ffa; color:black; font-size: smaller;"><div>Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. <del class="diffchange diffchange-inline">II - уровни изолированного атома</del>, E – ширина запрещенной зоны (2).</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div>Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла<ins class="diffchange diffchange-inline">, II - уровни изолированного атома</ins>, III - полупроводника и диэлектрика;<ins class="diffchange diffchange-inline"><br></ins></div></td></tr> <tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div><ins class="diffchange diffchange-inline"> </ins>1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , E – ширина запрещенной зоны (2).</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>'''Литература:'''<br></div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>'''Литература:'''<br></div></td></tr>  </table>

Eremin https://wiki.web.ru/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA&diff=20671&oldid=prev Eremin в 05:17, 10 апреля 2008 2008-04-10T05:17:41Z

<p></p> <table style="background-color: white; color:black;"> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <tr valign='top'> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">← Предыдущая</td> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">Версия 05:17, 10 апреля 2008</td> </tr> <tr><td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 2:</td> <td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 2:</td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'>-</td><td style="background: #ffa; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]]  </div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <ins class="diffchange diffchange-inline"><br></ins></div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, E – ширина запрещенной зоны (2).</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, E – ширина запрещенной зоны (2).</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td></tr>  </table>

Eremin https://wiki.web.ru/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA&diff=20670&oldid=prev Eremin в 05:17, 10 апреля 2008 2008-04-10T05:17:26Z

<p></p> <table style="background-color: white; color:black;"> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <tr valign='top'> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">← Предыдущая</td> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">Версия 05:17, 10 апреля 2008</td> </tr> <tr><td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 3:</td> <td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 3:</td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]]  </div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]]  </div></td></tr> <tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div><ins style="color: red; font-weight: bold; text-decoration: none;">Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, E – ширина запрещенной зоны (2).</ins></div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>'''Литература:'''<br></div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>'''Литература:'''<br></div></td></tr>  </table>

Eremin https://wiki.web.ru/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA&diff=20669&oldid=prev Eremin в 05:16, 10 апреля 2008 2008-04-10T05:16:35Z

<p></p> <table style="background-color: white; color:black;"> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <tr valign='top'> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">← Предыдущая</td> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">Версия 05:16, 10 апреля 2008</td> </tr> <tr><td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 2:</td> <td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 2:</td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'>-</td><td style="background: #ffa; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|<del class="diffchange diffchange-inline">fghfgh</del>]]  </div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|<ins class="diffchange diffchange-inline">Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)</ins>]]  </div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>'''Литература:'''<br></div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>'''Литература:'''<br></div></td></tr>  </table>

Eremin https://wiki.web.ru/index.php?title=%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA&diff=20668&oldid=prev Eremin в 05:15, 10 апреля 2008 2008-04-10T05:15:54Z

<p></p> <table style="background-color: white; color:black;"> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <col class='diff-marker' /> <col class='diff-content' /> <tr valign='top'> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">← Предыдущая</td> <td colspan='2' style="background-color: white; color:black;">Версия 05:15, 10 апреля 2008</td> </tr> <tr><td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 2:</td> <td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 2:</td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.</div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'>-</td><td style="background: #ffa; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg]]  </div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="background: #cfc; color:black; font-size: smaller;"><div>[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg<ins class="diffchange diffchange-inline">|fghfgh</ins>]]  </div></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"></td></tr> <tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>'''Литература:'''<br></div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background: #eee; color:black; font-size: smaller;"><div>'''Литература:'''<br></div></td></tr>  </table>

Eremin