Винтовая дислокация - История изменений

Eremin в 16:25, 7 апреля 2008

Eremin — Mon, 07 Apr 2008 16:25:16 GMT

← Предыдущая		Версия 16:25, 7 апреля 2008
Строка 7:		Строка 7:
	[[Category:Кристаллография]]		[[Category:Кристаллография]]
	[[Category:Минералогия]]		[[Category:Минералогия]]
		+	[[Category:Геохимия твердого тела]]

Виктор Слётов: доб. изображение

Виктор Слётов — Mon, 03 Mar 2008 02:07:30 GMT

доб. изображение

← Предыдущая		Версия 02:07, 3 марта 2008
Строка 1:		Строка 1:
		+	[[ Изображение:Dislocation_helicoidale.png\|thumb\|150px\|Винтовая дислокация]]
	'''Винтовая [[дислокации в кристаллах\|дислокация]]''' соответствует оси спиральной структуры в [[кристалл]]е, характеризуемом искажением, которое присоединяется к нормальным параллельным плоскостям, вместе формирующим непрерывную винтовую наклонную плоскость (с одним периодом), вращающуюся относительно дислокации. Наиболее распространена так называемая смешанная дислокация, которая является любой комбинацией [[краевая дислокация\|краевой]] и винтовой дислокаций.		'''Винтовая [[дислокации в кристаллах\|дислокация]]''' соответствует оси спиральной структуры в [[кристалл]]е, характеризуемом искажением, которое присоединяется к нормальным параллельным плоскостям, вместе формирующим непрерывную винтовую наклонную плоскость (с одним периодом), вращающуюся относительно дислокации. Наиболее распространена так называемая смешанная дислокация, которая является любой комбинацией [[краевая дислокация\|краевой]] и винтовой дислокаций.
	Образования винтовой дислокации можно представить таким образом. Мысленно надрежем кристалл по плоскости и сдвинем одну его часть относительно другой по этой плоскости на один период [[кристаллическая решетка\|решётки]] параллельно краю надреза. При этом линия искажения пойдёт вдоль края разреза. Эту линию и называют винтовой дислокацией. Искажение [[пространственная решетка кристалла\|пространственной решётки]] кристалла состоит в том, что [[атом]]ные ряды изгибаются и меняют своих соседей.<br>		Образования винтовой дислокации можно представить таким образом. Мысленно надрежем кристалл по плоскости и сдвинем одну его часть относительно другой по этой плоскости на один период [[кристаллическая решетка\|решётки]] параллельно краю надреза. При этом линия искажения пойдёт вдоль края разреза. Эту линию и называют винтовой дислокацией. Искажение [[пространственная решетка кристалла\|пространственной решётки]] кристалла состоит в том, что [[атом]]ные ряды изгибаются и меняют своих соседей.<br>

Виктор Слётов в 01:57, 2 марта 2007

Виктор Слётов — Fri, 02 Mar 2007 01:57:58 GMT

← Предыдущая		Версия 01:57, 2 марта 2007
Строка 1:		Строка 1:
	'''Винтовая [[дислокации в кристаллах\|дислокация]]''' соответствует оси спиральной структуры в [[кристалл]]е, характеризуемом искажением, которое присоединяется к нормальным параллельным плоскостям, вместе формирующим непрерывную винтовую наклонную плоскость (с одним периодом), вращающуюся относительно дислокации. Наиболее распространена так называемая смешанная дислокация, которая является любой комбинацией [[краевая дислокация\|краевой]] и винтовой дислокаций.		'''Винтовая [[дислокации в кристаллах\|дислокация]]''' соответствует оси спиральной структуры в [[кристалл]]е, характеризуемом искажением, которое присоединяется к нормальным параллельным плоскостям, вместе формирующим непрерывную винтовую наклонную плоскость (с одним периодом), вращающуюся относительно дислокации. Наиболее распространена так называемая смешанная дислокация, которая является любой комбинацией [[краевая дислокация\|краевой]] и винтовой дислокаций.
	Образования винтовой дислокации можно представить таким образом. Мысленно надрежем кристалл по плоскости и сдвинем одну его часть относительно другой по этой плоскости на один период [[кристаллическая решетка\|решётки]] параллельно краю надреза. При этом линия искажения пойдёт вдоль края разреза. Эту линию и называют винтовой дислокацией. Искажение [[пространственная решетка кристалла\|пространственной решётки]] кристалла состоит в том, что [[атом]]ные ряды изгибаются и меняют своих соседей.<br>		Образования винтовой дислокации можно представить таким образом. Мысленно надрежем кристалл по плоскости и сдвинем одну его часть относительно другой по этой плоскости на один период [[кристаллическая решетка\|решётки]] параллельно краю надреза. При этом линия искажения пойдёт вдоль края разреза. Эту линию и называют винтовой дислокацией. Искажение [[пространственная решетка кристалла\|пространственной решётки]] кристалла состоит в том, что [[атом]]ные ряды изгибаются и меняют своих соседей.<br>
		+	Кристалл с винтовой дислокацией уже не состоит из параллельных атомных плоскостей, скорее его можно рассматривать состоящим из одной атомной плоскости, закрученной в виде геликоида или винтовой лестницы без ступенек.<br>
	Винтовые дислокации чаще всего образуются во время [[кристаллизация\|роста]] кристалла. На макроуровне они проявляется в скручивании кристалла по или против часовой стрелки или в спиральных "[[скульптуры роста\|скульптурах роста]]" на поверхности его граней.		Винтовые дислокации чаще всего образуются во время [[кристаллизация\|роста]] кристалла. На макроуровне они проявляется в скручивании кристалла по или против часовой стрелки или в спиральных "[[скульптуры роста\|скульптурах роста]]" на поверхности его граней.

	[[Category:Кристаллография]]		[[Category:Кристаллография]]
	[[Category:Минералогия]]		[[Category:Минералогия]]

Виктор Слётов в 01:22, 2 марта 2007

Виктор Слётов — Fri, 02 Mar 2007 01:22:10 GMT

← Предыдущая		Версия 01:22, 2 марта 2007
Строка 1:		Строка 1:
-	'''Винтовая дислокация''' соответствует оси спиральной структуры в [[кристалл]]е, характеризуемом искажением, которое присоединяется к нормальным параллельным плоскостям, вместе формирующим непрерывную винтовую наклонную плоскость (с одним периодом), вращающуюся относительно дислокации. Наиболее распространена так называемая смешанная дислокация, которая является любой комбинацией [[краевая дислокация\|краевой]] и винтовой дислокаций.	+	'''Винтовая [[дислокации в кристаллах\|дислокация]]''' соответствует оси спиральной структуры в [[кристалл]]е, характеризуемом искажением, которое присоединяется к нормальным параллельным плоскостям, вместе формирующим непрерывную винтовую наклонную плоскость (с одним периодом), вращающуюся относительно дислокации. Наиболее распространена так называемая смешанная дислокация, которая является любой комбинацией [[краевая дислокация\|краевой]] и винтовой дислокаций.
	Образования винтовой дислокации можно представить таким образом. Мысленно надрежем кристалл по плоскости и сдвинем одну его часть относительно другой по этой плоскости на один период [[кристаллическая решетка\|решётки]] параллельно краю надреза. При этом линия искажения пойдёт вдоль края разреза. Эту линию и называют винтовой дислокацией. Искажение [[пространственная решетка кристалла\|пространственной решётки]] кристалла состоит в том, что [[атом]]ные ряды изгибаются и меняют своих соседей.<br>		Образования винтовой дислокации можно представить таким образом. Мысленно надрежем кристалл по плоскости и сдвинем одну его часть относительно другой по этой плоскости на один период [[кристаллическая решетка\|решётки]] параллельно краю надреза. При этом линия искажения пойдёт вдоль края разреза. Эту линию и называют винтовой дислокацией. Искажение [[пространственная решетка кристалла\|пространственной решётки]] кристалла состоит в том, что [[атом]]ные ряды изгибаются и меняют своих соседей.<br>
	Винтовые дислокации чаще всего образуются во время [[кристаллизация\|роста]] кристалла. На макроуровне они проявляется в скручивании кристалла по или против часовой стрелки или в спиральных "[[скульптуры роста\|скульптурах роста]]" на поверхности его граней.		Винтовые дислокации чаще всего образуются во время [[кристаллизация\|роста]] кристалла. На макроуровне они проявляется в скручивании кристалла по или против часовой стрелки или в спиральных "[[скульптуры роста\|скульптурах роста]]" на поверхности его граней.

Виктор Слётов в 01:17, 2 марта 2007

Виктор Слётов — Fri, 02 Mar 2007 01:17:45 GMT

Новая страница

'''Винтовая дислокация''' соответствует оси спиральной структуры в [[кристалл]]е, характеризуемом искажением, которое присоединяется к нормальным параллельным плоскостям, вместе формирующим непрерывную винтовую наклонную плоскость (с одним периодом), вращающуюся относительно дислокации. Наиболее распространена так называемая смешанная дислокация, которая является любой комбинацией [[краевая дислокация|краевой]] и винтовой дислокаций.
Образования винтовой дислокации можно представить таким образом. Мысленно надрежем кристалл по плоскости и сдвинем одну его часть относительно другой по этой плоскости на один период [[кристаллическая решетка|решётки]] параллельно краю надреза. При этом линия искажения пойдёт вдоль края разреза. Эту линию и называют винтовой дислокацией. Искажение [[пространственная решетка кристалла|пространственной решётки]] кристалла состоит в том, что [[атом]]ные ряды изгибаются и меняют своих соседей.<br>
Винтовые дислокации чаще всего образуются во время [[кристаллизация|роста]] кристалла. На макроуровне они проявляется в скручивании кристалла по или против часовой стрелки или в спиральных "[[скульптуры роста|скульптурах роста]]" на поверхности его граней.

[[Category:Кристаллография]]
[[Category:Минералогия]]