Дислокации в кристаллах - История изменений

Eremin в 16:35, 7 апреля 2008

Eremin — Mon, 07 Apr 2008 16:35:01 GMT

← Предыдущая		Версия 16:35, 7 апреля 2008
Строка 16:		Строка 16:
	[[Category:Кристаллография]]		[[Category:Кристаллография]]
	[[Category:Минералогия]]		[[Category:Минералогия]]
		+	[[Category:Геохимия твердого тела]]

Виктор Слётов в 03:17, 2 марта 2007

Виктор Слётов — Fri, 02 Mar 2007 03:17:52 GMT

← Предыдущая		Версия 03:17, 2 марта 2007
Строка 1:		Строка 1:
-	'''Дислокация''', - это линейный [[дефекты в кристаллах\|дефект]] в кристаллической атомной [[кристаллическая решетка\|решетке]]~~; дислокации - это перемещения~~. Различают два вида дислокаций: краевую и винтовую.	+	'''Дислокация''', - это линейный [[дефекты в кристаллах\|дефект]] в кристаллической атомной [[кристаллическая решетка\|решетке]], выраженный неодинаковым числом атомов в соседних частях кристалла, приводящим к сгущению (или разрежению) в расположении атомов. Различают два вида дислокаций: краевую и винтовую.
-	*[[Краевая дислокация]] соответствует ряду несовпадающих атомов вдоль края дополнительной неполной плоскости атомов в пределах [[кристалл]]а.	+	*[[Краевая дислокация]] является краем одной "лишней" атомной плоскости, словно расклинивающей кристалл. Она соответствует ряду несовпадающих атомов вдоль края дополнительной неполной плоскости атомов в пределах [[кристалл]]а.
-	*[[Винтовая дислокация]] соответствует оси спиральной структуры в кристалле, характеризуемом искажением, которое присоединяется к нормальным параллельным плоскостям, вместе формирующим непрерывную винтовую наклонную плоскость (с одним периодом), вращающуюся относительно дислокации.<br>	+	*[[Винтовая дислокация]], как и краевая, представляет собой результат как-бы сдвижения части одного участка в кристалле относительно другого. Она соответствует оси спиральной структуры в кристалле, характеризуемом искажением, которое присоединяется к нормальным параллельным плоскостям, вместе формирующим непрерывную винтовую наклонную плоскость (с одним периодом), вращающуюся относительно дислокации.<br>
-	Наиболее распространена так называемая смешанная дислокация, которая является любой комбинацией краевой и винтовой дислокаций.	+	Наиболее распространена так называемая смешанная дислокация, которая является любой комбинацией краевой и винтовой дислокаций. Возле линий дислокаций структура кристалла деформируется с затуханием искажения обратно пропорционально расстоянию от этой линии.
		+
		+	Все дислокации характеризуются [[вектор Бюргерса\|вектором Бюргерса]]. Хотя такие дефекты структуры могут возникать при росте, любую дислокацию можно представить как результат перемещения части структуры по плоскости скольжения в направлении скольжения. Направление и величина перемещения и определяют собой вектор Бюргерса. В краевой дислокации он перпендикулярен линии дислокации, в винтовой - параллелен, а в смешанной находится под острым углом.
		+	Если в идеальном кристалле провести замкнутый контур, а затем попытаться провести такой же контур вокруг области с дислокацией, контур будет разорван, а вектор, который нужно провести для замыкания этого контура, и есть [[вектор Бюргерса]] дислокации.
		+
		+	Во всякой дислокации существуют недостаточно компенсированные межатомные связи. С ними и с полем деформации около дислокации связано локальное повышение внутренней энергии и [[энтропия\|энтропии]] атомов на дислокации и около неё. Величина внутренней энергии дислокации пропорциональна длине дислокации и квадрату вектора Бюргерса.

	Дислокации, как и точечные дефекты, могут перемещаться по кристаллической решётке. Однако движение дислокаций связано с большими ограничениями, так как дислокация всегда должна быть непрерывной линией. Возможны два основных вида движений дислокаций: переползание и скольжение. Переползание дислокаций происходит благодаря добавлению или удалению атомов из лишней полуплоскости, что может происходить вследствие [[диффузия\|диффузии]]. При скольжении дислокации лишняя полуплоскость, занимавшая определённое положение в кристаллической решётке, соединяется с атомной плоскостью, находящейся под плоскостью скольжения, а соседняя атомная плоскость становится тогда лишней полуплоскостью. Такое плавное скольжение линии дислокации вызывается действием напряжений сдвига, приложенных к поверхности кристалла.		Дислокации, как и точечные дефекты, могут перемещаться по кристаллической решётке. Однако движение дислокаций связано с большими ограничениями, так как дислокация всегда должна быть непрерывной линией. Возможны два основных вида движений дислокаций: переползание и скольжение. Переползание дислокаций происходит благодаря добавлению или удалению атомов из лишней полуплоскости, что может происходить вследствие [[диффузия\|диффузии]]. При скольжении дислокации лишняя полуплоскость, занимавшая определённое положение в кристаллической решётке, соединяется с атомной плоскостью, находящейся под плоскостью скольжения, а соседняя атомная плоскость становится тогда лишней полуплоскостью. Такое плавное скольжение линии дислокации вызывается действием напряжений сдвига, приложенных к поверхности кристалла.

		+	==== Методы изучения дислокаций ====
	Фотографии структуры кристаллов с имеющимися в них дефектами можно получить с помощью ионного проектора и электронного микроскопа. При изучении дефектов кристаллов используют также метод протравливания: на поверхность кристалла наносят химические травители, которые наиболее активно взаимодействуют с теми областями кристалла, в которых сосредоточены наибольшие искажения, вызванные дислокациями. В результате такого травления на поверхности кристалла (или среза кристалла) появляются ямки, свидетельствующие о наличии дислокации в этом месте. Ямки рассматривают в обычный оптический микроскоп. Таким способом можно определить плотность дислокаций.		Фотографии структуры кристаллов с имеющимися в них дефектами можно получить с помощью ионного проектора и электронного микроскопа. При изучении дефектов кристаллов используют также метод протравливания: на поверхность кристалла наносят химические травители, которые наиболее активно взаимодействуют с теми областями кристалла, в которых сосредоточены наибольшие искажения, вызванные дислокациями. В результате такого травления на поверхности кристалла (или среза кристалла) появляются ямки, свидетельствующие о наличии дислокации в этом месте. Ямки рассматривают в обычный оптический микроскоп. Таким способом можно определить плотность дислокаций.

	[[Category:Кристаллография]]		[[Category:Кристаллография]]
	[[Category:Минералогия]]		[[Category:Минералогия]]

Виктор Слётов в 01:55, 2 марта 2007

Виктор Слётов — Fri, 02 Mar 2007 01:55:16 GMT

Новая страница

'''Дислокация''', - это линейный [[дефекты в кристаллах|дефект]] в кристаллической атомной [[кристаллическая решетка|решетке]]; дислокации - это перемещения. Различают два вида дислокаций: краевую и винтовую.
*[[Краевая дислокация]] соответствует ряду несовпадающих атомов вдоль края дополнительной неполной плоскости атомов в пределах [[кристалл]]а.
*[[Винтовая дислокация]] соответствует оси спиральной структуры в кристалле, характеризуемом искажением, которое присоединяется к нормальным параллельным плоскостям, вместе формирующим непрерывную винтовую наклонную плоскость (с одним периодом), вращающуюся относительно дислокации.<br>
Наиболее распространена так называемая смешанная дислокация, которая является любой комбинацией краевой и винтовой дислокаций.

Дислокации, как и точечные дефекты, могут перемещаться по кристаллической решётке. Однако движение дислокаций связано с большими ограничениями, так как дислокация всегда должна быть непрерывной линией. Возможны два основных вида движений дислокаций: переползание и скольжение. Переползание дислокаций происходит благодаря добавлению или удалению атомов из лишней полуплоскости, что может происходить вследствие [[диффузия|диффузии]]. При скольжении дислокации лишняя полуплоскость, занимавшая определённое положение в кристаллической решётке, соединяется с атомной плоскостью, находящейся под плоскостью скольжения, а соседняя атомная плоскость становится тогда лишней полуплоскостью. Такое плавное скольжение линии дислокации вызывается действием напряжений сдвига, приложенных к поверхности кристалла.

Фотографии структуры кристаллов с имеющимися в них дефектами можно получить с помощью ионного проектора и электронного микроскопа. При изучении дефектов кристаллов используют также метод протравливания: на поверхность кристалла наносят химические травители, которые наиболее активно взаимодействуют с теми областями кристалла, в которых сосредоточены наибольшие искажения, вызванные дислокациями. В результате такого травления на поверхности кристалла (или среза кристалла) появляются ямки, свидетельствующие о наличии дислокации в этом месте. Ямки рассматривают в обычный оптический микроскоп. Таким способом можно определить плотность дислокаций.

[[Category:Кристаллография]]
[[Category:Минералогия]]