Диэлектрик - История изменений

Eremin в 16:27, 10 апреля 2008

Eremin — Thu, 10 Apr 2008 16:27:57 GMT

← Предыдущая		Версия 16:27, 10 апреля 2008
Строка 1:		Строка 1:
	Вещества, у которых не возможен переход электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости.		Вещества, у которых не возможен переход электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости.
-	Согласно [[Зонная энергетическая ~~струкутра~~ кристалла\|зонной энергетической ~~струкутры~~ кристалла]] валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF<sub>2</sub> ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).	+	Согласно [[Зонная энергетическая структура кристалла\|зонной энергетической структуры кристалла]] валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF<sub>2</sub> ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).
	На границе между [[Полупроводник\|полупроводниками]] и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью. Например, в случае ионного диэлектрика (LiF, CaF<sub>2</sub>, MgO, NaСl и др.) валентная зона заполнена электронами, локализованными на анионах, а пустая зона проводимости связана с вакантными орбиталями катионов. В алмазе и полупроводниках с подобной ему структурой валентная зона полностью занята электронами, которые можно рассматривать как локализованные на двухэлектронных связях, образованных направленными гибридными ''sp''<sup>3</sup>-орбиталями соседних атомов.		На границе между [[Полупроводник\|полупроводниками]] и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью. Например, в случае ионного диэлектрика (LiF, CaF<sub>2</sub>, MgO, NaСl и др.) валентная зона заполнена электронами, локализованными на анионах, а пустая зона проводимости связана с вакантными орбиталями катионов. В алмазе и полупроводниках с подобной ему структурой валентная зона полностью занята электронами, которые можно рассматривать как локализованные на двухэлектронных связях, образованных направленными гибридными ''sp''<sup>3</sup>-орбиталями соседних атомов.
	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>		[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>

Eremin в 05:31, 10 апреля 2008

Eremin — Thu, 10 Apr 2008 05:31:05 GMT

← Предыдущая		Версия 05:31, 10 апреля 2008
Строка 4:		Строка 4:
	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>		[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>
	Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br> 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , ΔE – ширина запрещенной зоны (2).<br><br>		Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br> 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , ΔE – ширина запрещенной зоны (2).<br><br>
-	Все ковалентные твердые тела, подчиняющиеся [[Правило Юм-Розери\|правилу Юм-Розери]] KЧ = 8 - ''N'', не могут быть проводниками. В таких веществах каждый атом получает возможность укомплектовать свой электронный октет с помощью ковалентных или существенно ковалентных связей и валентная зона оказывается полностью занятой.<br>	+	Все ковалентные твердые тела, подчиняющиеся [[Правило Юма-Розери\|правилу Юм-Розери]] KЧ = 8 - ''N'', не могут быть проводниками. В таких веществах каждый атом получает возможность укомплектовать свой электронный октет с помощью ковалентных или существенно ковалентных связей и валентная зона оказывается полностью занятой.<br>
	'''Литература:'''<br>		'''Литература:'''<br>
	* Урусов В.С., Ерёмин Н.Н. Кристаллохимия, краткий курс., М., МГУ, 2004.		* Урусов В.С., Ерёмин Н.Н. Кристаллохимия, краткий курс., М., МГУ, 2004.

	[[Category:Кристаллохимия]]		[[Category:Кристаллохимия]]

Eremin в 05:30, 10 апреля 2008

Eremin — Thu, 10 Apr 2008 05:30:38 GMT

← Предыдущая		Версия 05:30, 10 апреля 2008
Строка 4:		Строка 4:
	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>		[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>
	Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br> 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , ΔE – ширина запрещенной зоны (2).<br><br>		Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br> 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , ΔE – ширина запрещенной зоны (2).<br><br>
-	Все ковалентные твердые тела, подчиняющиеся [[Правило Юм-Розери\|правилу Юм-Розери]] KЧ = 8 - ''N'', не могут быть проводниками. В таких веществах каждый атом получает возможность укомплектовать свой электронный октет с помощью ковалентных или существенно ковалентных связей и валентная зона оказывается полностью занятой.	+	Все ковалентные твердые тела, подчиняющиеся [[Правило Юм-Розери\|правилу Юм-Розери]] KЧ = 8 - ''N'', не могут быть проводниками. В таких веществах каждый атом получает возможность укомплектовать свой электронный октет с помощью ковалентных или существенно ковалентных связей и валентная зона оказывается полностью занятой.<br>
	'''Литература:'''<br>		'''Литература:'''<br>
	* Урусов В.С., Ерёмин Н.Н. Кристаллохимия, краткий курс., М., МГУ, 2004.		* Урусов В.С., Ерёмин Н.Н. Кристаллохимия, краткий курс., М., МГУ, 2004.

	[[Category:Кристаллохимия]]		[[Category:Кристаллохимия]]

Eremin в 05:30, 10 апреля 2008

Eremin — Thu, 10 Apr 2008 05:30:22 GMT

← Предыдущая		Версия 05:30, 10 апреля 2008
Строка 3:		Строка 3:
	На границе между [[Полупроводник\|полупроводниками]] и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью. Например, в случае ионного диэлектрика (LiF, CaF<sub>2</sub>, MgO, NaСl и др.) валентная зона заполнена электронами, локализованными на анионах, а пустая зона проводимости связана с вакантными орбиталями катионов. В алмазе и полупроводниках с подобной ему структурой валентная зона полностью занята электронами, которые можно рассматривать как локализованные на двухэлектронных связях, образованных направленными гибридными ''sp''<sup>3</sup>-орбиталями соседних атомов.		На границе между [[Полупроводник\|полупроводниками]] и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью. Например, в случае ионного диэлектрика (LiF, CaF<sub>2</sub>, MgO, NaСl и др.) валентная зона заполнена электронами, локализованными на анионах, а пустая зона проводимости связана с вакантными орбиталями катионов. В алмазе и полупроводниках с подобной ему структурой валентная зона полностью занята электронами, которые можно рассматривать как локализованные на двухэлектронных связях, образованных направленными гибридными ''sp''<sup>3</sup>-орбиталями соседних атомов.
	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>		[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>
-	Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br> 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , ΔE – ширина запрещенной зоны (2).	+	Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br> 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , ΔE – ширина запрещенной зоны (2).<br><br>
-	Все ковалентные твердые тела, подчиняющиеся ~~ххПроавило~~ Юм-Розери\|правилу Юм-Розери]] KЧ = 8 - ''N'', не могут быть проводниками. В таких веществах каждый атом получает возможность укомплектовать свой электронный октет с помощью ковалентных или существенно ковалентных связей и валентная зона оказывается полностью занятой.	+	Все ковалентные твердые тела, подчиняющиеся [[Правило Юм-Розери\|правилу Юм-Розери]] KЧ = 8 - ''N'', не могут быть проводниками. В таких веществах каждый атом получает возможность укомплектовать свой электронный октет с помощью ковалентных или существенно ковалентных связей и валентная зона оказывается полностью занятой.
	'''Литература:'''<br>		'''Литература:'''<br>
	* Урусов В.С., Ерёмин Н.Н. Кристаллохимия, краткий курс., М., МГУ, 2004.		* Урусов В.С., Ерёмин Н.Н. Кристаллохимия, краткий курс., М., МГУ, 2004.

	[[Category:Кристаллохимия]]		[[Category:Кристаллохимия]]

Eremin в 05:29, 10 апреля 2008

Eremin — Thu, 10 Apr 2008 05:29:38 GMT

← Предыдущая		Версия 05:29, 10 апреля 2008
Строка 1:		Строка 1:
	Вещества, у которых не возможен переход электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости.		Вещества, у которых не возможен переход электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости.
	Согласно [[Зонная энергетическая струкутра кристалла\|зонной энергетической струкутры кристалла]] валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF<sub>2</sub> ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).		Согласно [[Зонная энергетическая струкутра кристалла\|зонной энергетической струкутры кристалла]] валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF<sub>2</sub> ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).
-	На границе между [[Полупроводник\|полупроводниками]] и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.	+	На границе между [[Полупроводник\|полупроводниками]] и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью. Например, в случае ионного диэлектрика (LiF, CaF<sub>2</sub>, MgO, NaСl и др.) валентная зона заполнена электронами, локализованными на анионах, а пустая зона проводимости связана с вакантными орбиталями катионов. В алмазе и полупроводниках с подобной ему структурой валентная зона полностью занята электронами, которые можно рассматривать как локализованные на двухэлектронных связях, образованных направленными гибридными ''sp''<sup>3</sup>-орбиталями соседних атомов.
	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>		[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>
	Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br> 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , ΔE – ширина запрещенной зоны (2).		Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br> 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , ΔE – ширина запрещенной зоны (2).
-		+	Все ковалентные твердые тела, подчиняющиеся ххПроавило Юм-Розери\|правилу Юм-Розери]] KЧ = 8 - ''N'', не могут быть проводниками. В таких веществах каждый атом получает возможность укомплектовать свой электронный октет с помощью ковалентных или существенно ковалентных связей и валентная зона оказывается полностью занятой.
	'''Литература:'''<br>		'''Литература:'''<br>
	* Урусов В.С., Ерёмин Н.Н. Кристаллохимия, краткий курс., М., МГУ, 2004.		* Урусов В.С., Ерёмин Н.Н. Кристаллохимия, краткий курс., М., МГУ, 2004.

	[[Category:Кристаллохимия]]		[[Category:Кристаллохимия]]

Eremin: Новая: Вещества, у которых не возможен переход электронов из валентной энергетической зоны в зону проводим...

Eremin — Thu, 10 Apr 2008 05:27:02 GMT

Новая: Вещества, у которых не возможен переход электронов из валентной энергетической зоны в зону проводим...

Новая страница

Вещества, у которых не возможен переход электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости.
Согласно [[Зонная энергетическая струкутра кристалла|зонной энергетической струкутры кристалла]] валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).
На границе между [[Полупроводник|полупроводниками]] и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.
[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] 
Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , ΔE – ширина запрещенной зоны (2).

'''Литература:''' 
* Урусов В.С., Ерёмин Н.Н. Кристаллохимия, краткий курс., М., МГУ, 2004.

[[Category:Кристаллохимия]]