Полупроводник - История изменений

Eremin в 05:25, 10 апреля 2008

Eremin — Thu, 10 Apr 2008 05:25:23 GMT

← Предыдущая		Версия 05:25, 10 апреля 2008
Строка 1:		Строка 1:
	Вещества, у которых существует вероятность перехода электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости при температурах близких к комнатным.		Вещества, у которых существует вероятность перехода электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости при температурах близких к комнатным.
-	Согласно [[Зонная энергетическая струкутра кристалла\|зонной энергетической струкутры кристалла]] валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF<sub>2</sub> ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).	+	Согласно [[Зонная энергетическая струкутра кристалла\|зонной энергетической струкутры кристалла]] валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и [[Диэлектрик\|диэлектриков]] . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF<sub>2</sub> ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).
	Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.		Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.
	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>		[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>

Eremin в 05:22, 10 апреля 2008

Eremin — Thu, 10 Apr 2008 05:22:42 GMT

← Предыдущая		Версия 05:22, 10 апреля 2008
Строка 1:		Строка 1:
	Вещества, у которых существует вероятность перехода электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости при температурах близких к комнатным.		Вещества, у которых существует вероятность перехода электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости при температурах близких к комнатным.
-	Согласно [[Зонная энергетическая струкутра кристалла\|зонной энергетической струкутры кристалла]] валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и ~~CaF2~~ ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).	+	Согласно [[Зонная энергетическая струкутра кристалла\|зонной энергетической струкутры кристалла]] валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF<sub>2</sub> ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).
	Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.		Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.
	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>		[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>

Eremin в 05:22, 10 апреля 2008

Eremin — Thu, 10 Apr 2008 05:22:15 GMT

← Предыдущая		Версия 05:22, 10 апреля 2008
Строка 1:		Строка 1:
	Вещества, у которых существует вероятность перехода электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости при температурах близких к комнатным.		Вещества, у которых существует вероятность перехода электронов из валентной энергетической зоны в зону проводимости при температурах близких к комнатным.
-	~~Валентная~~ зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).	+	Согласно [[Зонная энергетическая струкутра кристалла\|зонной энергетической струкутры кристалла]] валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).
	Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.		Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.
	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>		[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>

Eremin в 05:18, 10 апреля 2008

Eremin — Thu, 10 Apr 2008 05:18:58 GMT

← Предыдущая		Версия 05:18, 10 апреля 2008
Строка 3:		Строка 3:
	Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.		Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.
	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>		[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>
-	Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br> 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , E – ширина запрещенной зоны (2).	+	Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br> 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , ΔE – ширина запрещенной зоны (2).

	'''Литература:'''<br>		'''Литература:'''<br>

Eremin в 05:18, 10 апреля 2008

Eremin — Thu, 10 Apr 2008 05:18:42 GMT

← Предыдущая		Версия 05:18, 10 апреля 2008
Строка 3:		Строка 3:
	Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.		Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.
	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>		[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>
-	Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br>	+	Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br> 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , E – ширина запрещенной зоны (2).
-	1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , E – ширина запрещенной зоны (2).	+

	'''Литература:'''<br>		'''Литература:'''<br>

Eremin в 05:18, 10 апреля 2008

Eremin — Thu, 10 Apr 2008 05:18:31 GMT

← Предыдущая		Версия 05:18, 10 апреля 2008
Строка 3:		Строка 3:
	Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.		Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.
	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>		[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>
-	Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. ~~II - уровни изолированного атома~~, E – ширина запрещенной зоны (2).	+	Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, II - уровни изолированного атома, III - полупроводника и диэлектрика;<br>
		+	1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. , E – ширина запрещенной зоны (2).

	'''Литература:'''<br>		'''Литература:'''<br>

Eremin в 05:17, 10 апреля 2008

Eremin — Thu, 10 Apr 2008 05:17:41 GMT

← Предыдущая		Версия 05:17, 10 апреля 2008
Строка 2:		Строка 2:
	Валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).		Валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).
	Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.		Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.
-	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]]	+	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]] <br>
	Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, E – ширина запрещенной зоны (2).		Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, E – ширина запрещенной зоны (2).

Eremin в 05:17, 10 апреля 2008

Eremin — Thu, 10 Apr 2008 05:17:26 GMT

← Предыдущая		Версия 05:17, 10 апреля 2008
Строка 3:		Строка 3:
	Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.		Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.
	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]]		[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]]
		+	Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, E – ширина запрещенной зоны (2).

	'''Литература:'''<br>		'''Литература:'''<br>

Eremin в 05:16, 10 апреля 2008

Eremin — Thu, 10 Apr 2008 05:16:35 GMT

← Предыдущая		Версия 05:16, 10 апреля 2008
Строка 2:		Строка 2:
	Валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).		Валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).
	Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.		Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.
-	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|~~fghfgh~~]]	+	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|Схема взаимного расположения энергетических зон: I - металла, III - полупроводника и диэлектрика; 1 - зона проводимости, 2 - запрещенная зона, 3 - валентная зона, 4 - внутренний уровень. II - уровни изолированного атома, ΔE – ширина запрещенной зоны (2)]]

	'''Литература:'''<br>		'''Литература:'''<br>

Eremin в 05:15, 10 апреля 2008

Eremin — Thu, 10 Apr 2008 05:15:54 GMT

← Предыдущая		Версия 05:15, 10 апреля 2008
Строка 2:		Строка 2:
	Валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).		Валентная зона не перекрывается с зоной проводимости, когда величина ΔE на порядки больше тепловой энергии (при комнатной температуре ~ 0,1 эВ). Этому случаю отвечает образование полупроводников и диэлектриков . Типичные диэлектрики есть как среди ионных кристаллов, например LiF и CaF2 ( =12 эВ), так и среди ковалентных кристаллов, например алмаз ( =5,3 эВ).
	Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.		Типичные полупроводники - кристаллы со структурами типа алмаза-сфалерита: Ge (ΔE=0,75 эВ), Si (ΔE=1,12 эВ), AlSb (ΔE=1,60 эВ), CdS (ΔE=2,3 эВ). На границе между полупроводниками и диэлектриками находится карбид кремния SiC (ΔE=3 эВ). В рассмотренных случаях валентная зона кристалла занята полностью.
-	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg]]	+	[[{{ns:image}}:Zon_theory.jpg\|fghfgh]]

	'''Литература:'''<br>		'''Литература:'''<br>