Эпитаксия - История изменений

Виктор Слётов в 11:17, 28 марта 2012

Виктор Слётов — Wed, 28 Mar 2012 11:17:29 GMT

← Предыдущая		Версия 11:17, 28 марта 2012
Строка 4:		Строка 4:
	----		----
	'''Эпитаксия (от греч. эпи — на, таксис — упорядоченность) — это закономерно ориентированное нарастание кристаллов одного минерала на поверхность другого'''. При этом если на грань кристалла нарастает несколько индивидов, то их кристаллографическая ориентировка оказывается одинаковой.		'''Эпитаксия (от греч. эпи — на, таксис — упорядоченность) — это закономерно ориентированное нарастание кристаллов одного минерала на поверхность другого'''. При этом если на грань кристалла нарастает несколько индивидов, то их кристаллографическая ориентировка оказывается одинаковой.
-	''Основным условием существования эпитаксических пар служит сходство кристаллических структур, выраженное в соразмерности отдельных атомных сеток (~~слоев~~), по которым происходит срастание.'' Например, нарастание кристаллов селитры NaNO<sub>3</sub> на грани ромбоэдра кристаллов ~~кальцита~~ СаСО<sub>3</sub>. Эти соединения изоструктурны, т. е. имеют одинаковую структуру, и их кристаллы соприкасаются гранями ~~ромбоэдров~~ так, что основные кристаллографические направления на гранях обеих структур совпадают.	+	''Основным условием существования эпитаксических пар служит сходство [[кристаллическая структура\|кристаллических структур]], выраженное в соразмерности отдельных атомных сеток (слоёв), по которым происходит срастание.'' Например, нарастание кристаллов [[Нитратин\|селитры]] NaNO<sub>3</sub> на грани ромбоэдра кристаллов [[кальцит]]а СаСО<sub>3</sub>. Эти соединения изоструктурны, т. е. имеют одинаковую структуру, и их кристаллы соприкасаются гранями [[ромбоэдр]]ов так, что основные кристаллографические направления на гранях обеих структур совпадают.
-	''Эпитаксия чаще всего имеет место при сравнительно небольших (10-12 %) различиях параметров ~~решеток~~''. Однако ориентированное нарастание происходит и при разнице параметров, составляющей десятки процентов. Такая ситуация складывается, например, при эпитаксии гранецентрированных кубических кристаллов металлов на гранях щелочно-галоидных кристаллов.	+	''Эпитаксия чаще всего имеет место при сравнительно небольших (10-12 %) различиях параметров [[кристаллическая решетка\|решёток]]''. Однако ориентированное нарастание происходит и при разнице параметров, составляющей десятки процентов. Такая ситуация складывается, например, при эпитаксии гранецентрированных кубических кристаллов металлов на гранях щелочно-галоидных кристаллов.
	В природе встречено большое количество эпитаксических срастаний минералов. Наиболее известны ''нарастания кристаллов [[халькопирит]]а CuFeS<sub>2</sub> на [[тетраэдрит]] Cu<sub>12</sub>Sb<sub>4</sub>S<sub>3</sub>, рутила TiO<sub>2</sub> на гематит Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub> (сагенитовые треугольники), [[галенит]]а PbS на [[сфалерит]] ZnS, [[диаспор]]а Аl(ОН)<sub>3</sub> на корунд А1<sub>2</sub>О<sub>3</sub>, [[кианит]]а Al<sub>2</sub>[SiO<sub>4</sub>]O на [[ставролит]].		В природе встречено большое количество эпитаксических срастаний минералов. Наиболее известны ''нарастания кристаллов [[халькопирит]]а CuFeS<sub>2</sub> на [[тетраэдрит]] Cu<sub>12</sub>Sb<sub>4</sub>S<sub>3</sub>, рутила TiO<sub>2</sub> на гематит Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub> (сагенитовые треугольники), [[галенит]]а PbS на [[сфалерит]] ZnS, [[диаспор]]а Аl(ОН)<sub>3</sub> на корунд А1<sub>2</sub>О<sub>3</sub>, [[кианит]]а Al<sub>2</sub>[SiO<sub>4</sub>]O на [[ставролит]].

Строка 16:		Строка 16:
	== Использование эпитаксии ==		== Использование эпитаксии ==
	В настоящее время явление эпитаксии широко используется в современной микроэлектронике при выращивании тонких монокристаллических полупроводниковых пленок. Путем последовательного наращивания эпитаксиальных пленок образуются так называемые сандвич-структуры, на основе которых создаются интегральные схемы, устойчивая магнитная память и т.п.		В настоящее время явление эпитаксии широко используется в современной микроэлектронике при выращивании тонких монокристаллических полупроводниковых пленок. Путем последовательного наращивания эпитаксиальных пленок образуются так называемые сандвич-структуры, на основе которых создаются интегральные схемы, устойчивая магнитная память и т.п.
-	~~<br><br>~~	+
		+
		+	----
	'''Источник:'''		'''Источник:'''
	Ю.К.Егоров-Тисменко "Кристаллография и кристаллохимия", КДУ, 2005, 590с.		Ю.К.Егоров-Тисменко "Кристаллография и кристаллохимия", КДУ, 2005, 590с.

Виктор Слётов в 10:41, 28 марта 2012

Виктор Слётов — Wed, 28 Mar 2012 10:41:41 GMT

← Предыдущая		Версия 10:41, 28 марта 2012
Строка 1:		Строка 1:
	[[Изображение:Epitaksia_mineralogical_almanakh.jpg\|thumb\|150px\|Эпитаксическое нарастание черного эльбаита на желтый, частично растворенный кристалл. 603541мм]]		[[Изображение:Epitaksia_mineralogical_almanakh.jpg\|thumb\|150px\|Эпитаксическое нарастание черного эльбаита на желтый, частично растворенный кристалл. 603541мм]]
-	- закономерное, обуславливаемое строением кристаллических решеток и условиями образования, срастание веществ различного состава, например, [[кварц]]а и [[полевые шпаты\|калиевого полевого шпата]] в [[пегматит\|пегматите]]; [[тетраэдрит]]а на [[халькопирит]]е, [[магнетит]]а или [[халькопирит]]а на [[барит]]е. <br><br>	+	'''Эпитаксия''' - закономерное, обуславливаемое строением кристаллических решеток и условиями образования, срастание веществ различного состава, например, [[кварц]]а и [[полевые шпаты\|калиевого полевого шпата]] в [[пегматит\|пегматите]]; [[тетраэдрит]]а на [[халькопирит]]е, [[магнетит]]а или [[халькопирит]]а на [[барит]]е. <br><br>
	'''Источник:''' Петрографический словарь, М. "Недра", 1981		'''Источник:''' Петрографический словарь, М. "Недра", 1981
	----		----
Строка 7:		Строка 7:
	''Эпитаксия чаще всего имеет место при сравнительно небольших (10-12 %) различиях параметров решеток''. Однако ориентированное нарастание происходит и при разнице параметров, составляющей десятки процентов. Такая ситуация складывается, например, при эпитаксии гранецентрированных кубических кристаллов металлов на гранях щелочно-галоидных кристаллов.		''Эпитаксия чаще всего имеет место при сравнительно небольших (10-12 %) различиях параметров решеток''. Однако ориентированное нарастание происходит и при разнице параметров, составляющей десятки процентов. Такая ситуация складывается, например, при эпитаксии гранецентрированных кубических кристаллов металлов на гранях щелочно-галоидных кристаллов.
	В природе встречено большое количество эпитаксических срастаний минералов. Наиболее известны ''нарастания кристаллов [[халькопирит]]а CuFeS<sub>2</sub> на [[тетраэдрит]] Cu<sub>12</sub>Sb<sub>4</sub>S<sub>3</sub>, рутила TiO<sub>2</sub> на гематит Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub> (сагенитовые треугольники), [[галенит]]а PbS на [[сфалерит]] ZnS, [[диаспор]]а Аl(ОН)<sub>3</sub> на корунд А1<sub>2</sub>О<sub>3</sub>, [[кианит]]а Al<sub>2</sub>[SiO<sub>4</sub>]O на [[ставролит]].		В природе встречено большое количество эпитаксических срастаний минералов. Наиболее известны ''нарастания кристаллов [[халькопирит]]а CuFeS<sub>2</sub> на [[тетраэдрит]] Cu<sub>12</sub>Sb<sub>4</sub>S<sub>3</sub>, рутила TiO<sub>2</sub> на гематит Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub> (сагенитовые треугольники), [[галенит]]а PbS на [[сфалерит]] ZnS, [[диаспор]]а Аl(ОН)<sub>3</sub> на корунд А1<sub>2</sub>О<sub>3</sub>, [[кианит]]а Al<sub>2</sub>[SiO<sub>4</sub>]O на [[ставролит]].
-	~~<br><br>''~~	+
	== Автоэпитаксия ==		== Автоэпитаксия ==
	[[Изображение:Epitaksia.jpg\|thumb\|188px\|Грибообразный кристалл аметиста]]		[[Изображение:Epitaksia.jpg\|thumb\|188px\|Грибообразный кристалл аметиста]]
Строка 15:		Строка 15:

	== Использование эпитаксии ==		== Использование эпитаксии ==
-
	В настоящее время явление эпитаксии широко используется в современной микроэлектронике при выращивании тонких монокристаллических полупроводниковых пленок. Путем последовательного наращивания эпитаксиальных пленок образуются так называемые сандвич-структуры, на основе которых создаются интегральные схемы, устойчивая магнитная память и т.п.		В настоящее время явление эпитаксии широко используется в современной микроэлектронике при выращивании тонких монокристаллических полупроводниковых пленок. Путем последовательного наращивания эпитаксиальных пленок образуются так называемые сандвич-структуры, на основе которых создаются интегральные схемы, устойчивая магнитная память и т.п.
	<br><br>		<br><br>
Строка 21:		Строка 20:
	Ю.К.Егоров-Тисменко "Кристаллография и кристаллохимия", КДУ, 2005, 590с.		Ю.К.Егоров-Тисменко "Кристаллография и кристаллохимия", КДУ, 2005, 590с.

-		+	'''Ссылки'''
		+	*[http://mindraw.web.ru/cristall13.htm Зарождение и рост кристаллов, эпитаксия и автоэпитаксия]
	[[Category:Кристаллография]]		[[Category:Кристаллография]]
	[[Category:Минералогия]]		[[Category:Минералогия]]
	[[Category:Термины]]		[[Category:Термины]]

Mineralog в 14:58, 15 марта 2009

Mineralog — Sun, 15 Mar 2009 14:58:29 GMT

← Предыдущая		Версия 14:58, 15 марта 2009
Строка 1:		Строка 1:
	[[Изображение:Epitaksia_mineralogical_almanakh.jpg\|thumb\|150px\|Эпитаксическое нарастание черного эльбаита на желтый, частично растворенный кристалл. 603541мм]]		[[Изображение:Epitaksia_mineralogical_almanakh.jpg\|thumb\|150px\|Эпитаксическое нарастание черного эльбаита на желтый, частично растворенный кристалл. 603541мм]]
-	- закономерное, обуславливаемое строением кристаллических решеток и условиями образования, срастание веществ различного состава, например, [[кварц]]а и [[полевые шпаты\|калиевого полевого шпата]] в [[пегматит\|пегматите]]; [[тетраэдрит]]а на [[халькопирит]]е, [[магнетит]]а или [[халькопирит]]а на [[барит]]е. <br<br>	+	- закономерное, обуславливаемое строением кристаллических решеток и условиями образования, срастание веществ различного состава, например, [[кварц]]а и [[полевые шпаты\|калиевого полевого шпата]] в [[пегматит\|пегматите]]; [[тетраэдрит]]а на [[халькопирит]]е, [[магнетит]]а или [[халькопирит]]а на [[барит]]е. <br><br>
	'''Источник:''' Петрографический словарь, М. "Недра", 1981		'''Источник:''' Петрографический словарь, М. "Недра", 1981
	----		----

Mineralog: /* Автоэпитаксия */

Mineralog — Sun, 15 Mar 2009 14:58:08 GMT

Автоэпитаксия

← Предыдущая		Версия 14:58, 15 марта 2009
Строка 9:		Строка 9:
	<br><br>''		<br><br>''
	== Автоэпитаксия ==		== Автоэпитаксия ==
-	[[Изображение:Epitaksia.jpg\|thumb\|188px\|~~Скипетровидный~~ кристалл аметиста]]	+	[[Изображение:Epitaksia.jpg\|thumb\|188px\|Грибообразный кристалл аметиста]]
	Если происходит ориентированное нарастание кристаллов одного и того же минерала, такое явление называется '''автоэпитаксией.''' Примером может служить скипетровидный [[кристалл]] [[кварц]]а, где на призматическом кристалле первого поколения образуется новый индивид другой формы, а часто и другой окраски, что связано с изменением условий кристаллизации. Следует отметить, что при автоэпитаксическом срастании структура одного индивида является продолжением структуры другого.		Если происходит ориентированное нарастание кристаллов одного и того же минерала, такое явление называется '''автоэпитаксией.''' Примером может служить скипетровидный [[кристалл]] [[кварц]]а, где на призматическом кристалле первого поколения образуется новый индивид другой формы, а часто и другой окраски, что связано с изменением условий кристаллизации. Следует отметить, что при автоэпитаксическом срастании структура одного индивида является продолжением структуры другого.

Mineralog: /* Использование эпитаксии */

Mineralog — Sun, 15 Mar 2009 12:04:07 GMT

Использование эпитаксии

← Предыдущая		Версия 12:04, 15 марта 2009
Строка 17:		Строка 17:

	В настоящее время явление эпитаксии широко используется в современной микроэлектронике при выращивании тонких монокристаллических полупроводниковых пленок. Путем последовательного наращивания эпитаксиальных пленок образуются так называемые сандвич-структуры, на основе которых создаются интегральные схемы, устойчивая магнитная память и т.п.		В настоящее время явление эпитаксии широко используется в современной микроэлектронике при выращивании тонких монокристаллических полупроводниковых пленок. Путем последовательного наращивания эпитаксиальных пленок образуются так называемые сандвич-структуры, на основе которых создаются интегральные схемы, устойчивая магнитная память и т.п.
-		+	<br><br>
-		+	'''Источник:'''
-		+	Ю.К.Егоров-Тисменко "Кристаллография и кристаллохимия", КДУ, 2005, 590с.


	[[Category:Кристаллография]]		[[Category:Кристаллография]]
	[[Category:Минералогия]]		[[Category:Минералогия]]
		+	[[Category:Термины]]

Mineralog в 12:01, 15 марта 2009

Mineralog — Sun, 15 Mar 2009 12:01:10 GMT

← Предыдущая		Версия 12:01, 15 марта 2009
Строка 1:		Строка 1:
		+	[[Изображение:Epitaksia_mineralogical_almanakh.jpg\|thumb\|150px\|Эпитаксическое нарастание черного эльбаита на желтый, частично растворенный кристалл. 603541мм]]
	- закономерное, обуславливаемое строением кристаллических решеток и условиями образования, срастание веществ различного состава, например, [[кварц]]а и [[полевые шпаты\|калиевого полевого шпата]] в [[пегматит\|пегматите]]; [[тетраэдрит]]а на [[халькопирит]]е, [[магнетит]]а или [[халькопирит]]а на [[барит]]е. <br<br>		- закономерное, обуславливаемое строением кристаллических решеток и условиями образования, срастание веществ различного состава, например, [[кварц]]а и [[полевые шпаты\|калиевого полевого шпата]] в [[пегматит\|пегматите]]; [[тетраэдрит]]а на [[халькопирит]]е, [[магнетит]]а или [[халькопирит]]а на [[барит]]е. <br<br>
	'''Источник:''' Петрографический словарь, М. "Недра", 1981		'''Источник:''' Петрографический словарь, М. "Недра", 1981
	----		----
-	[[Изображение:Epitaksia_mineralogical_almanakh.jpg\|thumb\|150px\|Эпитаксическое нарастание черного эльбаита на желтый, частично растворенный кристалл. 603541мм]]
	'''Эпитаксия (от греч. эпи — на, таксис — упорядоченность) — это закономерно ориентированное нарастание кристаллов одного минерала на поверхность другого'''. При этом если на грань кристалла нарастает несколько индивидов, то их кристаллографическая ориентировка оказывается одинаковой.		'''Эпитаксия (от греч. эпи — на, таксис — упорядоченность) — это закономерно ориентированное нарастание кристаллов одного минерала на поверхность другого'''. При этом если на грань кристалла нарастает несколько индивидов, то их кристаллографическая ориентировка оказывается одинаковой.
	''Основным условием существования эпитаксических пар служит сходство кристаллических структур, выраженное в соразмерности отдельных атомных сеток (слоев), по которым происходит срастание.'' Например, нарастание кристаллов селитры NaNO<sub>3</sub> на грани ромбоэдра кристаллов кальцита СаСО<sub>3</sub>. Эти соединения изоструктурны, т. е. имеют одинаковую структуру, и их кристаллы соприкасаются гранями ромбоэдров так, что основные кристаллографические направления на гранях обеих структур совпадают.		''Основным условием существования эпитаксических пар служит сходство кристаллических структур, выраженное в соразмерности отдельных атомных сеток (слоев), по которым происходит срастание.'' Например, нарастание кристаллов селитры NaNO<sub>3</sub> на грани ромбоэдра кристаллов кальцита СаСО<sub>3</sub>. Эти соединения изоструктурны, т. е. имеют одинаковую структуру, и их кристаллы соприкасаются гранями ромбоэдров так, что основные кристаллографические направления на гранях обеих структур совпадают.

Mineralog в 12:00, 15 марта 2009

Mineralog — Sun, 15 Mar 2009 12:00:37 GMT

← Предыдущая		Версия 12:00, 15 марта 2009
Строка 2:		Строка 2:
	'''Источник:''' Петрографический словарь, М. "Недра", 1981		'''Источник:''' Петрографический словарь, М. "Недра", 1981
	----		----
-	[[Изображение:Epitaksia_mineralogical_almanakh.jpg\|thumb\|150px\|Эпитаксическое нарастание черного эльбаита на желтый, частично растворенный кристалл. 603541мм ~~[[Малхан]], [[Забайкалье]], [[Россия]]. Образец найден в мае 2008 года. Коллекция М.Аносова. Фото М.Лейбов.~~]]	+	[[Изображение:Epitaksia_mineralogical_almanakh.jpg\|thumb\|150px\|Эпитаксическое нарастание черного эльбаита на желтый, частично растворенный кристалл. 603541мм]]
	'''Эпитаксия (от греч. эпи — на, таксис — упорядоченность) — это закономерно ориентированное нарастание кристаллов одного минерала на поверхность другого'''. При этом если на грань кристалла нарастает несколько индивидов, то их кристаллографическая ориентировка оказывается одинаковой.		'''Эпитаксия (от греч. эпи — на, таксис — упорядоченность) — это закономерно ориентированное нарастание кристаллов одного минерала на поверхность другого'''. При этом если на грань кристалла нарастает несколько индивидов, то их кристаллографическая ориентировка оказывается одинаковой.
	''Основным условием существования эпитаксических пар служит сходство кристаллических структур, выраженное в соразмерности отдельных атомных сеток (слоев), по которым происходит срастание.'' Например, нарастание кристаллов селитры NaNO<sub>3</sub> на грани ромбоэдра кристаллов кальцита СаСО<sub>3</sub>. Эти соединения изоструктурны, т. е. имеют одинаковую структуру, и их кристаллы соприкасаются гранями ромбоэдров так, что основные кристаллографические направления на гранях обеих структур совпадают.		''Основным условием существования эпитаксических пар служит сходство кристаллических структур, выраженное в соразмерности отдельных атомных сеток (слоев), по которым происходит срастание.'' Например, нарастание кристаллов селитры NaNO<sub>3</sub> на грани ромбоэдра кристаллов кальцита СаСО<sub>3</sub>. Эти соединения изоструктурны, т. е. имеют одинаковую структуру, и их кристаллы соприкасаются гранями ромбоэдров так, что основные кристаллографические направления на гранях обеих структур совпадают.

Mineralog в 12:00, 15 марта 2009

Mineralog — Sun, 15 Mar 2009 12:00:13 GMT

← Предыдущая		Версия 12:00, 15 марта 2009
Строка 2:		Строка 2:
	'''Источник:''' Петрографический словарь, М. "Недра", 1981		'''Источник:''' Петрографический словарь, М. "Недра", 1981
	----		----
-	[[Изображение:Epitaksia_mineralogical_almanakh.jpg\|thumb\|150px\|]]	+	[[Изображение:Epitaksia_mineralogical_almanakh.jpg\|thumb\|150px\|Эпитаксическое нарастание черного эльбаита на желтый, частично растворенный кристалл. 603541мм [[Малхан]], [[Забайкалье]], [[Россия]]. Образец найден в мае 2008 года. Коллекция М.Аносова. Фото М.Лейбов.]]
	'''Эпитаксия (от греч. эпи — на, таксис — упорядоченность) — это закономерно ориентированное нарастание кристаллов одного минерала на поверхность другого'''. При этом если на грань кристалла нарастает несколько индивидов, то их кристаллографическая ориентировка оказывается одинаковой.		'''Эпитаксия (от греч. эпи — на, таксис — упорядоченность) — это закономерно ориентированное нарастание кристаллов одного минерала на поверхность другого'''. При этом если на грань кристалла нарастает несколько индивидов, то их кристаллографическая ориентировка оказывается одинаковой.
	''Основным условием существования эпитаксических пар служит сходство кристаллических структур, выраженное в соразмерности отдельных атомных сеток (слоев), по которым происходит срастание.'' Например, нарастание кристаллов селитры NaNO<sub>3</sub> на грани ромбоэдра кристаллов кальцита СаСО<sub>3</sub>. Эти соединения изоструктурны, т. е. имеют одинаковую структуру, и их кристаллы соприкасаются гранями ромбоэдров так, что основные кристаллографические направления на гранях обеих структур совпадают.		''Основным условием существования эпитаксических пар служит сходство кристаллических структур, выраженное в соразмерности отдельных атомных сеток (слоев), по которым происходит срастание.'' Например, нарастание кристаллов селитры NaNO<sub>3</sub> на грани ромбоэдра кристаллов кальцита СаСО<sub>3</sub>. Эти соединения изоструктурны, т. е. имеют одинаковую структуру, и их кристаллы соприкасаются гранями ромбоэдров так, что основные кристаллографические направления на гранях обеих структур совпадают.

Mineralog в 11:59, 15 марта 2009

Mineralog — Sun, 15 Mar 2009 11:59:09 GMT

← Предыдущая		Версия 11:59, 15 марта 2009
Строка 6:		Строка 6:
	''Основным условием существования эпитаксических пар служит сходство кристаллических структур, выраженное в соразмерности отдельных атомных сеток (слоев), по которым происходит срастание.'' Например, нарастание кристаллов селитры NaNO<sub>3</sub> на грани ромбоэдра кристаллов кальцита СаСО<sub>3</sub>. Эти соединения изоструктурны, т. е. имеют одинаковую структуру, и их кристаллы соприкасаются гранями ромбоэдров так, что основные кристаллографические направления на гранях обеих структур совпадают.		''Основным условием существования эпитаксических пар служит сходство кристаллических структур, выраженное в соразмерности отдельных атомных сеток (слоев), по которым происходит срастание.'' Например, нарастание кристаллов селитры NaNO<sub>3</sub> на грани ромбоэдра кристаллов кальцита СаСО<sub>3</sub>. Эти соединения изоструктурны, т. е. имеют одинаковую структуру, и их кристаллы соприкасаются гранями ромбоэдров так, что основные кристаллографические направления на гранях обеих структур совпадают.
	''Эпитаксия чаще всего имеет место при сравнительно небольших (10-12 %) различиях параметров решеток''. Однако ориентированное нарастание происходит и при разнице параметров, составляющей десятки процентов. Такая ситуация складывается, например, при эпитаксии гранецентрированных кубических кристаллов металлов на гранях щелочно-галоидных кристаллов.		''Эпитаксия чаще всего имеет место при сравнительно небольших (10-12 %) различиях параметров решеток''. Однако ориентированное нарастание происходит и при разнице параметров, составляющей десятки процентов. Такая ситуация складывается, например, при эпитаксии гранецентрированных кубических кристаллов металлов на гранях щелочно-галоидных кристаллов.
-	В природе встречено большое количество эпитаксических срастаний минералов. Наиболее известны ''нарастания кристаллов ~~халькопирита~~ CuFeS<sub>2</sub> на тетраэдрит Cu<sub>12</sub>Sb<sub>4</sub>S<sub>3</sub>, рутила TiO<sub>2</sub> на гематит Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub> (сагенитовые треугольники), ~~галенита~~ PbS на сфалерит ZnS, ~~диаспора~~ Аl(ОН)<sub>3</sub> на корунд А1<sub>2</sub>О<sub>3</sub>, ~~кианита~~ Al<sub>2</sub>[SiO<sub>4</sub>]O на ставролит.	+	В природе встречено большое количество эпитаксических срастаний минералов. Наиболее известны ''нарастания кристаллов [[халькопирит]]а CuFeS<sub>2</sub> на [[тетраэдрит]] Cu<sub>12</sub>Sb<sub>4</sub>S<sub>3</sub>, рутила TiO<sub>2</sub> на гематит Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub> (сагенитовые треугольники), [[галенит]]а PbS на [[сфалерит]] ZnS, [[диаспор]]а Аl(ОН)<sub>3</sub> на корунд А1<sub>2</sub>О<sub>3</sub>, [[кианит]]а Al<sub>2</sub>[SiO<sub>4</sub>]O на [[ставролит]].
	<br><br>''		<br><br>''
	== Автоэпитаксия ==		== Автоэпитаксия ==

Mineralog в 11:57, 15 марта 2009

Mineralog — Sun, 15 Mar 2009 11:57:57 GMT

← Предыдущая		Версия 11:57, 15 марта 2009
Строка 2:		Строка 2:
	'''Источник:''' Петрографический словарь, М. "Недра", 1981		'''Источник:''' Петрографический словарь, М. "Недра", 1981
	----		----
		+	[[Изображение:Epitaksia_mineralogical_almanakh.jpg\|thumb\|150px\|]]
	'''Эпитаксия (от греч. эпи — на, таксис — упорядоченность) — это закономерно ориентированное нарастание кристаллов одного минерала на поверхность другого'''. При этом если на грань кристалла нарастает несколько индивидов, то их кристаллографическая ориентировка оказывается одинаковой.		'''Эпитаксия (от греч. эпи — на, таксис — упорядоченность) — это закономерно ориентированное нарастание кристаллов одного минерала на поверхность другого'''. При этом если на грань кристалла нарастает несколько индивидов, то их кристаллографическая ориентировка оказывается одинаковой.
	''Основным условием существования эпитаксических пар служит сходство кристаллических структур, выраженное в соразмерности отдельных атомных сеток (слоев), по которым происходит срастание.'' Например, нарастание кристаллов селитры NaNO<sub>3</sub> на грани ромбоэдра кристаллов кальцита СаСО<sub>3</sub>. Эти соединения изоструктурны, т. е. имеют одинаковую структуру, и их кристаллы соприкасаются гранями ромбоэдров так, что основные кристаллографические направления на гранях обеих структур совпадают.		''Основным условием существования эпитаксических пар служит сходство кристаллических структур, выраженное в соразмерности отдельных атомных сеток (слоев), по которым происходит срастание.'' Например, нарастание кристаллов селитры NaNO<sub>3</sub> на грани ромбоэдра кристаллов кальцита СаСО<sub>3</sub>. Эти соединения изоструктурны, т. е. имеют одинаковую структуру, и их кристаллы соприкасаются гранями ромбоэдров так, что основные кристаллографические направления на гранях обеих структур совпадают.