Эффективный заряд атома - История изменений

Eremin в 05:59, 8 апреля 2008

Eremin — Tue, 08 Apr 2008 05:59:26 GMT

← Предыдущая		Версия 05:59, 8 апреля 2008
Строка 1:		Строка 1:
	Эффективный заряд атома в кристалле - разность между числом электронов, реально принадлежащих окрестности атома, и числом электронов в нейтральном атоме. <br>		Эффективный заряд атома в кристалле - разность между числом электронов, реально принадлежащих окрестности атома, и числом электронов в нейтральном атоме. <br>
-	Если известно распределение валентной электронной плотности в кристалле, то имеет смысл поставить вопрос какое число электронов относится к каждому атому. Такой вопрос впервые был поставлен еще в 1926 г., В. Л. Брэггом при расшифровке структуры берилла Ве3Аl2Si6О18. На построенных ими картах полной электронной плотности можно было выделить области, примыкающие к атомам Аl и Si, а затем оценить числа электронов, принадлежащих каждой из этих областей. Так, в области Si находилось не 10, как для иона Si4+, и не 14, как для нейтрального атома Si0, а около 12,5 электронов. Таким образом, эффективный заряд Si в берилле оказался близким к +1,5, Аl - к +1,6, О - к -1,0.	+	Если известно распределение валентной электронной плотности в кристалле, то имеет смысл поставить вопрос какое число электронов относится к каждому атому. Такой вопрос впервые был поставлен еще в 1926 г., В. Л. Брэггом при расшифровке структуры [[берилл \|берилла Ве3Аl2Si6О18]]. На построенных ими картах полной электронной плотности можно было выделить области, примыкающие к атомам Аl и Si, а затем оценить числа электронов, принадлежащих каждой из этих областей. Так, в области Si находилось не 10, как для иона Si4+, и не 14, как для нейтрального атома Si0, а около 12,5 электронов. Таким образом, эффективный заряд Si в берилле оказался близким к +1,5, Аl - к +1,6, О - к -1,0.
	[[category: кристаллохимия]]		[[category: кристаллохимия]]

Eremin в 05:58, 8 апреля 2008

Eremin — Tue, 08 Apr 2008 05:58:17 GMT

← Предыдущая		Версия 05:58, 8 апреля 2008
Строка 1:		Строка 1:
	Эффективный заряд атома в кристалле - разность между числом электронов, реально принадлежащих окрестности атома, и числом электронов в нейтральном атоме. <br>		Эффективный заряд атома в кристалле - разность между числом электронов, реально принадлежащих окрестности атома, и числом электронов в нейтральном атоме. <br>
	Если известно распределение валентной электронной плотности в кристалле, то имеет смысл поставить вопрос какое число электронов относится к каждому атому. Такой вопрос впервые был поставлен еще в 1926 г., В. Л. Брэггом при расшифровке структуры берилла Ве3Аl2Si6О18. На построенных ими картах полной электронной плотности можно было выделить области, примыкающие к атомам Аl и Si, а затем оценить числа электронов, принадлежащих каждой из этих областей. Так, в области Si находилось не 10, как для иона Si4+, и не 14, как для нейтрального атома Si0, а около 12,5 электронов. Таким образом, эффективный заряд Si в берилле оказался близким к +1,5, Аl - к +1,6, О - к -1,0.		Если известно распределение валентной электронной плотности в кристалле, то имеет смысл поставить вопрос какое число электронов относится к каждому атому. Такой вопрос впервые был поставлен еще в 1926 г., В. Л. Брэггом при расшифровке структуры берилла Ве3Аl2Si6О18. На построенных ими картах полной электронной плотности можно было выделить области, примыкающие к атомам Аl и Si, а затем оценить числа электронов, принадлежащих каждой из этих областей. Так, в области Si находилось не 10, как для иона Si4+, и не 14, как для нейтрального атома Si0, а около 12,5 электронов. Таким образом, эффективный заряд Si в берилле оказался близким к +1,5, Аl - к +1,6, О - к -1,0.
		+	[[category: кристаллохимия]]

Eremin: Новая: Эффективный заряд атома в кристалле - разность между числом электронов, реально принадлежащих окрест...

Eremin — Tue, 08 Apr 2008 05:57:46 GMT

Новая: Эффективный заряд атома в кристалле - разность между числом электронов, реально принадлежащих окрест...

Новая страница

Эффективный заряд атома в кристалле - разность между числом электронов, реально принадлежащих окрестности атома, и числом электронов в нейтральном атоме. <br>
Если известно распределение валентной электронной плотности в кристалле, то имеет смысл поставить вопрос какое число электронов относится к каждому атому. Такой вопрос впервые был поставлен еще в 1926 г., В. Л. Брэггом при расшифровке структуры берилла Ве3Аl2Si6О18. На построенных ими картах полной электронной плотности можно было выделить области, примыкающие к атомам Аl и Si, а затем оценить числа электронов, принадлежащих каждой из этих областей. Так, в области Si находилось не 10, как для иона Si4+, и не 14, как для нейтрального атома Si0, а около 12,5 электронов. Таким образом, эффективный заряд Si в берилле оказался близким к +1,5, Аl - к +1,6, О - к -1,0.