Кривая зондирования (кривая ВЭЗ) - график зависимости кажущегося электрического сопротивления от фактора, определяющего глубинность исследований.
Для кривых ВЭЗ, ДЭЗ фактором, определяющим глубинность исследований является размер электроразведочной установки (разнос).
Для кривых ЗСБ фактором, определяющим глубинность исследований является время спада.
Для кривых ЧЗ и МТЗ фактором, определяющим глубинность исследований принимается корень квадратный от периода измеряемой гармоники.
Кривые электрических зондирований
Кривые кажущегося сопротивления, полученные для одной среды разными установками похожи, но неодинаковы. Исключением являются кривые rК для установок Шлюмберже и ДЭЗ, которые для горизонтально-слоистых разрезов полностью совпадают.
Форма кривых ВЭЗ определяется в основном соотношениями сопротивлений слоев в геоэлектрическом разрезе и в меньшей степени соотношением мощностей.
Кривые ВЭЗ для двухслойных разрезов бывают двух типов: r1<r2 и r1>r2.
По соотношениям удельных сопротивлений слоев, трехслойные модели слоистого гео-элетрического разреза можно разделить на четыре типа. Соответствующие им кривые ВЭЗ обозначаются буквами ”K”, ”H”, ”Q” и ”A”.
Кривую ВЭЗ для многослойного геоэлектрического разреза можно рассматривать как совокупность трехслойных кривых. Тип многослойной кривой определяют следующим образом: сначала по первым трем слоям определяют первую букву типа, затем рассматривают второй, третий и четвертый слои и определяют следующую букву и т.д. Таким образом, количество букв в типе кривой на две меньше числа слоев. Например, разрезу со следующим соотношением сопротивлений слоев r1< r2> r3> r4< r5 будет соответствовать кривая типа ”KQH”.
Сайт лаборатории электроразведки кафедры геофизики Геологического ф-та МГУ им. М.ВА.Ломоносова
Источник: