Комбинационная штриховка на гранях кристалла пирита
Штриховка на гранях призмы кристалла
мориона
Штриховка - является наиболее распространенной морфологической особенностью кристаллов и характерна для многих минералов. Штриховка бывает двух видов..
- Индукционная штриховка - проявляется в виде ступенчатых террас, возвышений, площадок, контуры которых отражают симметрию граней. Каждая ступенька это не один слой (он невидим невооруженным взглядом), а множество элементарных слоев. Новые слои генерировались у того же центра, но с запазданием по отношению к нижним. Все слои двигались по грани друг с другом, а если рост кристалла прекращался, они останавливались и давали сложную микроскопическую поверхность, воспринимаемую глазом как одиночная ступенька. Такие ступенчатые террасы характерны для граней тетраэдров сфалерита, они установлены на кристаллах берилла, алмаза и вообще не являются редкостью. Подобная штриховка формируется, например, при росте кристалла в условиях перепада (уменьшения или возрастания) концентрации вещества.
- Комбинационная штриховка. Характерна, например для пирита. Штрихи, паралельные ребрам куба, представляющие собой фрагменты ребер граней пентагон-додекаэдра, указывают не только на истинную симметрию кристаллов пирита, но и на быструю смену условий кристаллизации при их образовании. Кристаллы пирита осадочного происхождения имеют гладкие грани, гидротермального - грани с четкой штриховкой. Штриховка характерна и для призматических кристаллов кварца, образованная фрагментами граней ромбоэдра.
У обеих штриховок ее более грубые и редкие штрихи указывают на большие пересыщения растворов; грани, обращенные в сторону подтока вещества, также имеют более грубую штриховку.
Отмечаются также:
- Вицинальная штриховка - обусловлена повторением вицинальных граней, лежащих а одной зоне
- Двойниковая штриховка - обусловлена присутствием полисинтетических двойников
Из публикаций
- Строителев С.А. О причинах образования комбинационной штриховки кристаллов. - Зап. Всесоюз. минерал. об-ва, 1961, ч. 90, вып. 6, с. 79-714.